高分辨中子衍射谱仪

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　　【高分辨衍射谱仪整体布局图】

　　【谱仪性能参数指标】

　　工作波长：0.1885nm；

　　最小分辨率：0.2%；

　　单色器：Ge(115)垂直聚焦,起飞角120°；

　　样品处中子束注量率：1×10⁵/cm²·s，束流大小可调，最大10cm×2cm，最小2cm×0.5cm；

　　探测器：64支3He阵列，探测效率约80%，测量范围8°～172°；

　　样品环境：高低温10K～1273K，高压约10Gpa。

　　【主要用途介绍及应用范例】

　　高分辨中子衍射谱仪是我院自行设计，该谱仪主要用于材料的静态晶体结构（包括磁性材料的磁结构）测量和分析，确定材料的微观结构参数，探讨材料结构与性能的关系，中子粉末衍射方法已成为现今研究材料晶体结构和磁结构的标准实验技术。可用在：

　　研究含有轻元素的材料（如氧化物、碳化物和储氢材料等）的晶体结构和（或）磁结构，准确测量材料中轻元素的原子占位及占位数,探索储氢材料结构特性及其与吸放氢、贮氢性能的关系。

　　研究不同力学加载条件下，金属材料微观结构（如晶粒尺寸、位错或层错等）的演化。

　　研究高温或高压等极端条件下材料的结构变化。

　　复杂晶体结构的测定，例如催化剂、有机材料、沸石或非线性光学材料等。

　　研究铁磁性体和电子材料（如超导体和巨磁阻材料等）的晶体结构和磁结构的相变。

　　用于纳米材料研究，如纳米贮氢材料、纳米含能材料、纳米复合材料等。